[发明专利]一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法

摘要

本发明公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤：1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层和掩蔽层，形成电阻图形。4)在所述电阻图形上淀积一层介质层。利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层，保留端头介质层。5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层上多余的掩蔽层，保留端头介质层保护下的掩蔽层。6)在电阻图形上淀积隔离层，并在电阻端头刻蚀形成连接孔。7)淀积金属层，填充连接孔，引出电阻。

主权项

一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层(1)、薄膜电阻层(2)、掩蔽层(3)、介质层(4)、隔离层(5)和金属层(6)；进行以下步骤：1)在衬底介质层(1)上淀积一层电阻薄膜层(2)；2)在所述电阻薄膜层(2)上淀积一层掩蔽层(3)；3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层(2)和掩蔽层(3)，形成电阻图形；4)在所述电阻图形上淀积一层介质层(4)；利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层(4)，保留端头介质层(4)；5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层(2)上多余的掩蔽层(3)，保留端头介质层(4)保护下的掩蔽层(3)；6)在电阻图形上淀积隔离层(5)，并在电阻端头刻蚀形成连接孔；7)淀积金属层(6)，填充连接孔，引出电阻。