[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，半导体器件为LDMOS，DDDMOS和DEMOS中的一种，各单元结构包括：源端结构，漏端结构，平面栅结构；在俯视面上各单元结构排列成多指状阵列结构，两个相邻的单元结构的源端结构共用；在沿着沟道的宽度方向上源区呈连续结构且设置由跨过源区和体引出区的第一接触孔；或者，在沿着沟道的宽度方向上源区呈在源区中插入有体引出区的结构；第一接触孔或插入到源区的体引出区的设置，能加强对源区周侧的体区电位的控制以及增加通过体引出区对器件漏端PN结反偏击穿时形成的正电荷的收集，从而有利于抑制寄生三极管的导通，能扩大器件的安全工作区和静电防护能力。

主权项

1.一种半导体器件，半导体器件为LDMOS，DDDMOS和DEMOS中的一种，其特征在于，多个半导体器件的单元结构集成于同一半导体衬底上，各所述单元结构包括：源端结构，漏端结构，平面栅结构；/n所述平面栅结构包括依次形成于高压P阱表面的栅介质层和多晶硅栅；所述高压P阱作为体区且被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成连接源漏的沟道；/n所述源端结构形成于所述多晶硅栅的第一侧的高压P阱的表面；所述漏端结构形成于所述多晶硅栅的第二侧的高压P阱的侧面；/n所述源端结构包括由N+区组成的源区和由P+区组成的体引出区，所述源区和对应的所述多晶硅栅的第一侧自对准；/n在俯视面上的结构为：/n各所述单元结构排列成多指状阵列结构，各所述单元结构的源端结构、平面栅结构和漏端结构沿所述沟道的宽度方向延伸并平行排列；两个相邻的所述单元结构的源端结构共用；/n在共用的所述源端结构中，在沿着所述沟道的长度方向上，所述源端结构具有N+区、P+区和N+区的结构，中间的P+区作为两个所述单元结构共用的所述体引出区；所述体引出区两侧的N+区分别作为所述体引出区两侧对应的所述单元结构的所述源区；/n在沿着所述沟道的宽度方向上，所述单元结构对应的所述源区呈连续结构，所述源区呈连续结构中，所述源区和所述体引出区同时通过跨过所述源区和所述体引出区的第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极；/n或者，在沿着所述沟道的宽度方向上，所述单元结构对应的所述源区呈在所述源区中插入有所述体引出区的结构，且插入到所述源区中的所述体引出区和对应的所述多晶硅栅侧面自对准。/n