[发明专利]层叠晶片的加工方法有效
申请号: | 201710769441.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107808821B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 大前卷子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/68 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种层叠晶片的加工方法,对形成有非透过层的层叠晶片进行良好地分割。一种层叠晶片(W)的加工方法,该层叠晶片(W)是在硅基板(W1)的正面侧粘接玻璃基板(W2)而成的,该层叠晶片(W)的加工方法构成为:从形成有红外线难以透过的非透过层(14)的硅基板的背面侧切入未形成器件的外周剩余区域而使硅基板露出,将红外线照相机定位在露出于外周剩余区域的硅基板的上方而对硅基板的正面侧的分割预定线进行检测而实施对准,利用硅基板用的第1切削刀具沿着分割预定线切入而对硅基板进行分割,利用玻璃基板用的第2切削刀具沿着在硅基板中分割出的槽切入而对玻璃基板进行分割。 | ||
搜索关键词: | 层叠 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种层叠晶片的加工方法,该层叠晶片是在硅基板的正面侧利用树脂粘接玻璃基板而成的,在该硅基板的正面上形成有由多条分割预定线划分的多个器件,其中,在硅基板的背面上形成有红外线难以透过的非透过层,该层叠晶片的加工方法具有如下的步骤:载置步骤,隔着在该玻璃基板侧粘贴有保护带的层叠晶片的该保护带,将该玻璃基板侧载置在切削装置的卡盘工作台上表面上;外周剩余区域硅基板露出步骤,在实施了该载置步骤之后,利用该切削装置的切削刀具对未形成该多个器件的外周剩余区域的该非透过层进行切削而将其去除,使硅基板露出;对准步骤,在实施了该外周剩余区域硅基板露出步骤之后,将红外线照相机定位在该外周剩余区域的露出了的硅基板上,透过该硅基板对该正面侧的分割预定线进行检测而进行对准;第1切削步骤,在实施了该对准步骤之后,使第1切削刀具从该层叠晶片的该硅基板侧切入到该树脂的中途,沿着该分割预定线对该硅基板进行分割;以及第2切削步骤,在实施了该第1切削步骤之后,使第2切削刀具沿着通过该第1切削步骤而切削出的槽切入到该保护带的中途,沿着该分割预定线对该玻璃基板进行分割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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