[发明专利]一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置

摘要

本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，其中该控制方法基于离子注入工艺(IMP Process)，首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的角度，实现了对沟槽垂直角度的精确控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移，保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

主权项

一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，基于离子注入工艺，包括：确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。