[发明专利]一种双栅氧化层制造方法

摘要

本申请实施例公开了一种双栅氧化层制造方法。在该制造方法中，先形成厚栅氧化层，再形成薄栅氧化层，并企图通过光刻图案化，使光刻胶覆盖厚栅氧化层，并露出薄栅氧化层；如此在对薄栅氧化层进行氮掺杂时，不会将氮掺杂到厚栅氧化层内，如此，就不会导致厚栅氧化层对应的高阈值电压的MOS管的TDDB性能变差。因此，通过本申请提供的双栅氧化层制造方法能够在进行高质量薄氧化层生长的同时，获得TDDB性能较高的高阈值电压的MOS管。

主权项

一种双栅氧化层制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有相互隔离的第一有源区和第二有源区；在所述第一有源区上形成第一栅氧化层；在所述第二有源区上形成第二栅氧化层；在衬底上方涂覆光刻胶并进行光刻图案化，使光刻胶覆盖所述第一栅氧化层，并露出所述第二栅氧化层；对所述第二栅氧化层进行氮掺杂；去除光刻胶，并对第二栅氧化层进行退火处理；其中，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度。