[发明专利]一种浅沟槽隔离有源区的方法在审
| 申请号： | 201710772505.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507802A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 余德钦;周文斌;张磊;高永辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离有源区的方法，该方法包括提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。该方法通过设置隔离氧化层以及阻挡层结构，在退火处理过程中，消除了沉积的薄膜与衬底之间发生的化学反应，进而有效保护了衬底的尺寸，避免了有源区面积的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 有源 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离有源区的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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