[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

摘要

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，其中，所述三维存储器的共用源极由钨金属电极和至少覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构两侧的缓冲导电层构成，所述缓冲导电层与所述三维存储器的隔离层形成直接接触，以解决钨金属电极与隔离层难以形成良好的界面接触的问题，从而达到提升所述三维存储器的击穿电压，提升所述三维存储器的电学性能的目的。并且所述共用源极由钨金属电极和缓冲导电层构成，在一定程度上减少了自身应力较大的钨金属材料的使用，从而实现了降低三维存储器的应力的目的，进一步提升所述三维存储器的电学性能。

主权项

一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的多个阵列结构，每两个相邻的阵列结构之间设置有共用源极，相邻的阵列结构和共用源极之间设置有隔离层；位于所述衬底内部的共用源线，所述共用源极在所述衬底表面的投影完全覆盖所述共用源线表面；所述共用源极包括钨金属电极和缓冲导电层，其中，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端，所述缓冲导电层至少覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构的两侧。