[发明专利]高电源电压低功耗低压差线性稳压器

摘要

本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种高电源电压低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四。本发明的有益效果是，避免使用误差放大器，电路结构简单，功耗较小，由于使用了JFET耐压管一及JFET耐压管二，从而可以在高电源电压下工作，适用于低压差线性稳压器。

主权项

1.高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端及电压输出端，其特征在于，还包括PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四，所述PMOS管一的源极、PMOS管二的源极及NMOS管的漏极都与外部电源输入端连接，PMOS管一的漏极与自身栅极连接，且与PMOS管二的栅极及JFET耐压管一的漏极连接，PMOS管二的漏极与JFET耐压管二的漏极连接，且与NMOS管的栅极及二极管的负极连接，JFET耐压管一的栅极与JFET耐压管二的栅极连接，且接地，JFET耐压管一的源极与NPN管一的集电极连接，JFET耐压管二的源极与NPN管二的集电极连接，NPN管一的发射极与电阻一的一端连接，电阻一的另一端与NPN管二的发射极连接，且通过电阻二接地，二极管的正极与NMOS管的源极连接，且与电阻三的一端连接，电阻三的另一端通过电阻四接地，且与NPN管一的基极及NPN管二的基极连接，电压输出端与NMOS管的源极连接，且通过电容接地。