[发明专利]一种金属玷污的检测方法有效
| 申请号： | 201710775070.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108333202B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军;李冠男 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/2209 | 分类号： | G01N23/2209 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属玷污的检测方法，提供检测用晶片，将将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间之后，在检测用晶片上外延生长外延层，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。外延生长为沿着晶片的晶格生长的方法，若存在金属污染，金属污染物落在晶片上，会破坏正常晶格的生长，同时生长速度比正常晶格生长的快而没有规律，会在外延层的表面形成类似于虫子的特定缺陷形貌，根据该缺陷，可以直观地进行是否存在金属玷污的判断，外延生长的速度快，比检测设备的检测时间更快，提高检测效率。此外，对于没有沾污的晶片，还可以重复利用，再次进行检测，可以降低检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 玷污 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属玷污的检测方法，其特征在于，包括：S01，提供检测用晶片，所述检测用晶片为空白晶片；S02，将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间；S03，在检测用晶片上外延生长外延层；S04，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。
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