[发明专利]一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法有效
| 申请号： | 201710775201.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107546230B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王秉国;王家友;郁赛华;余思;吴俊;蒲浩;吴关平;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，该方法包括：将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理，然后进行栅线缝隙氧化物的沉积。实现了3D NAND器件栅线缝隙氧化物的均匀沉积，提高了栅线缝隙表面氧化物沉积的覆盖率，提高了氧化物的绝缘性，减小短路的存在，优化了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 器件 缝隙 氧化物 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，其特征在于，所述沉积方法包括：将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理；进行栅线缝隙氧化物的沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
