[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第一外延层；位于外延层中的埋层；位于第一外延层上的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成第一有源区和第二有源区；以及分别位于第一有源区和第二有源区中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间电性连接，衬底和外延层掺杂类型相同。该瞬态电压抑制器将占据面积较大的功率器件制作在芯片内部，提高了芯片面积利用率和集成度，进一步压缩了芯片尺寸，降低了封装成本。

主权项

一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第一掺杂类型的第一外延层；位于所述外延层中的第二掺杂类型的埋层，其中，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；位于所述第一外延层上的第一掺杂类型的第二外延层；分别从所述第二外延层表面延伸至所述埋层中和所述第二外延层中的第二掺杂类型的第一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区分别用于在所述第二外延层中形成第一隔离岛和第二隔离岛；以及分别位于所述第一隔离岛和所述第二隔离岛中从所述外延层表面延伸至所述第二外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间电性连接。