[发明专利]用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺及其结构

摘要

本发明提供一种晶圆三维集成引线工艺及其结构，该工艺可应用于三维存储器晶圆的晶圆三维集成工艺中。通过在晶圆和三维存储器件层141之间设置绝缘层19和多晶硅层21，并将用于金属互联的接触孔15设置为与该绝缘层19接触，并通过减薄工艺去除掉该晶圆，后续形成引线连接结构17。本发明提出了一种新的引线工艺，使得可以穿过较厚的器件层实现背面引线。

主权项

1.一种晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一晶圆，该第一晶圆具有相对设置的正面和背面，在该第一晶圆的正面表面沉积绝缘层，在该绝缘层上沉积多晶硅层；对该多晶硅层进行图案化，得到多晶硅图形并暴露至少一部分绝缘层表面；在该绝缘层表面以及多晶硅图形之上制造半导体器件，该半导体器件包括多个接触孔，该接触孔中填充有金属材料，该接触孔的一端穿过该绝缘层与该第一晶圆的正面表面接触；将包括该半导体器件的第一晶圆的半导体器件一侧与第二晶圆键合，并将该第一晶圆的背面进行减薄，通过减薄露出该绝缘层以及该接触孔的一端；在露出的绝缘层上沉积引线金属层，并对该引线金属层利用微影和刻蚀工艺定义引线结构，该引线结构与该接触孔的一端电连接。