[发明专利]快速制备金纳米柱的方法

摘要

本发明快速制备金纳米柱的方法，属于金纳米材料制备技术领域，解决了现有技术中存在的过程复杂、实验条件严苛、步骤繁琐、耗时长的技术问题；本发明采用电子束曝光技术或者激光干涉光刻技术在镀金Si片上制备出排列规则、直径不同的纳米孔阵列，将带有纳米孔阵列的镀金Si片放入烧杯中，然后在此烧杯中注入由去离子水、氯金酸和柠檬酸钠组成的溶液进行反应，取出带有纳米孔阵列的镀金Si片，自然条件下晾干，在不同直径的纳米孔阵列中得到不同直径的金纳米柱；本发明工艺简单，操作简便，成本低，重复性强，能够快速制备出排列有序的金纳米柱。

主权项

1.快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：清洗Si片，并在Si片表面镀金；将Si片依次置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，洗耳球吹干,先镀一层5nm厚的铬，再镀一层厚度约为60nm的金；步骤二：用电子束曝光技术或者激光干涉光刻技术在镀金后的Si片上制备不同直径的纳米孔阵列；步骤三：制备金纳米柱；a、将步骤二中带有纳米孔阵列的镀金Si片固定在烧杯中；b、向烧杯中注入氯金酸溶液，用磁力搅拌器搅拌，加热至沸腾，然后迅速加入一定量的柠檬酸钠溶液，共同加热煮沸10min，停止加热后继续搅拌15min，搅拌结束后冷却至室温；c、取出步骤b中的基底，并在室温下静置晾干，即可得到受纳米孔结构制约的、排列规整的金纳米柱。