[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201710778238.0 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107799535B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 金宰范;金亿洙;孙暻锡;林俊亨;林志勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/121;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种显示装置及其制造方法,所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置,所述显示装置包括:基体基底;第一晶体管,位于所述基体基底上方,并包括第一输入电极、第一输出电极、位于第一绝缘层下方的第一半导体图案以及位于所述第一绝缘层上方并位于第二绝缘层下方的第一控制电极;第二晶体管,位于所述基体基底上方,并包括第二输入电极、第二输出电极、位于所述第一绝缘层上方并位于所述第二绝缘层下方的第二控制电极以及位于所述第二绝缘层上方的第二半导体图案;至少一个第三绝缘层,位于所述第二绝缘层上方;发光二极管,位于所述至少一个第三绝缘层上方;以及电容器,电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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