[发明专利]测试结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710778403.2 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109422234B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 毛益平;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种测试结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层；将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合，从而形成多个焊盘。本申请可以改善键合后的焊盘相连的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构的制造方法，其特征在于，包括：提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层；将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合，从而形成多个焊盘。
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