[发明专利]经由背面和解耦电容器检测薄化的集成电路有效
| 申请号： | 201710779125.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108511418B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·马扎基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/02;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体衬底具有背面和正面，并且包括与半导体衬底电隔离的半导体阱。器件被配置为从背面检测半导体衬底的薄化。器件包括至少一个沟槽，至少一个沟槽在两个外围位置之间的半导体阱内从正面向下延伸到位于距半导体阱底部一定距离处的位置。沟槽与半导体阱电隔离。检测电路被配置为测量表示两个接触区域之间的阱的电阻的物理量，两个接触区域分别位于至少一个第一沟槽任一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 经由 背面 和解 电容器 检测 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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