[发明专利]覆铜板及其制造方法有效
| 申请号： | 201710786228.1 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107620051B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王志建;宋红林;张晓峰;杨志刚 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/32;C23C14/20;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱铁宏;刘林华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及覆铜板及其制造方法。具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行等离子体沉积以形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在第一等离子体沉积层上形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板。此外，还公开了一种铜箔厚度超薄并且结合力很高的覆铜板，其在第一等离子体沉积层和第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5‑50nm的合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 铜板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对所述基材进行前处理；通过离子注入在所述基材上注入第一金属离子，以在所述基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过所述离子注入的基材进行等离子体沉积，以在所述离子注入层上沉积第二金属离子来形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在所述第一等离子体沉积层上沉积第三金属离子来形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板；其中，所述方法还包括：通过控制沉积所述第二金属离子和所述第三金属离子的能量，在所述第一等离子体沉积层和所述第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5‑50纳米的合金层。
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