[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的源极和漏极形成技术

摘要

本发明公开了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极和漏极形成技术。用于形成FinFET的外延源极/漏极部件的示例性方法包括使用含硅前体和含氯前体在多个鳍上外延生长半导体材料。半导体材料合并以形成跨越多个鳍的外延部件，其中多个鳍具有小于约25nm的鳍间隔。含硅前体的流量与含氯前体的流量的比率小于约5。该方法还包括使用含氯前体回蚀刻半导体材料，从而改变外延部件的轮廓。仅实施一次外延生长和回蚀刻。在FinFET是n型FinFET的一些实施方式中，外延生长还使用含磷前体。

主权项

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底上方形成第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍和所述第二鳍具有小于25nm的鳍间隔，并且其中，所述第一鳍和所述第二鳍均包括设置在源极区和漏极区之间的沟道区；在所述第一鳍和所述第二鳍的所述沟道区上方形成栅极结构；以及仅实施一次沉积工艺和蚀刻工艺以形成跨越所述第一鳍和所述第二鳍的所述源极区的合并的外延源极部件以及跨越所述第一鳍和所述第二鳍的所述漏极区的合并的外延漏极部件。