[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法有效
| 申请号： | 201710790406.8 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799603B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；下栅电极，设置在所述基底上并包括多晶硅；半导体，设置在所述下栅电极上并包括沟道区、分别设置在所述沟道区的相对侧处的源区和漏区、设置在所述沟道区与所述源区之间的第一轻掺杂区以及设置在所述沟道区与所述漏区之间的第二轻掺杂区；上栅电极，设置在所述半导体上；源电极，连接到所述半导体的所述源区；以及漏电极，连接到所述半导体的所述漏区。
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