[发明专利]3D NAND存储器件台阶结构及其制造方法

摘要

一种3D NAND存储器件，包括：衬底以及形成在衬底上的存储阵列区域，存储阵列区域包括核心区域和多个分离的分区台阶结构区域，核心区域和分离的分区台阶结构区域在X方向彼此分开一定距离，存储阵列的台阶结构包括核心区域边缘的包括X方向N个台阶的一维台阶结构以及分离的分区台阶区域的二维复合立体台阶结构，二维复合立体台阶结构包括在X方向的M个梯级，每个梯级包括在Y方向的N个分区，其中M为大于等于1的自然数，N为大于等于2的自然数。一维台阶结构与分离的分区台阶结构区域的Y方向分区采用相同的掩模利用Trim/Etch方法同步形成。分离的分区台阶结构降低了台阶成型的工艺难度，减少了光刻刻蚀工艺和台阶区面积，大幅降低3D NAND的制造成本。

主权项

1.一种3D NAND存储器件，包括：衬底以及形成在衬底上的存储阵列区域，存储阵列区域具有台阶结构，所述存储阵列区域包括核心区域和多个分离的分区台阶结构区域，核心区域和分离的分区台阶结构区域在X方向彼此分开一定距离，多个分离的分区台阶结区域构在Y方向彼此间隔一定距离，存储阵列的台阶结构包括核心区域边缘的一维台阶结构以及多个分离的分区台阶结构区域的二维复合立体台阶结构，所述一维台阶结构包括N个台阶，其中N为大于等于2的自然数，其特征在于：核心区域包括多个存储单元区块(Block)，Y方向上以三个存储单元区块作为一组，分别标记为存储单元区块N、存储单元区块N+1和存储单元区块N+2，其中存储单元区块N+1位于存储单元区块N和存储单元区块N+2之间，每组存储单元区块共用一个分离的分区台阶结构区域，存储单元区块N和存储单元区块N+2镜像对称,存储单元区块N和存储单元区块N+2的存储单元的栅极分别通过相应地核心区域边缘的一维台阶结构以及分离的分区台阶结构的台阶结构上的接触耦合到相应的栅线；存储单元区块N+1的存储单元的栅极不通过该分离的分区台阶结构耦合到栅线。