[发明专利]一种基于3D封装的片内并联半桥模块在审
申请号: | 201710792255.X | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107785354A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 李永凯;郭清;裘雅蕾;盛况 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人: | 金杭 |
地址: | 310013*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于3D封装的片内并联半桥模块,该模块是针对半桥功率半导体模块的,基于三维封装的片内并联结构。模块包括下层DBC、中层DBC、上层DBC、晶体管模块、二极管模块、接线端子。上桥臂和下桥臂的晶体管模块和二极管模块分别烧结在上层DBC和中层DBC上。上层DBC和中层DBC之间采用导电卡子连接。中层DBC和下层DBC使用穿过中层DBC陶瓷层的铜通孔连接。中层DBC和上层DBC采用二次刻蚀,分别实现导电通路图案和导电卡子的制作。中层DBC采用半径很大的倒圆角实现上桥臂器件集电极/漏极的电气连接。本发明可以有效降低换流回路杂散电感,有利于模块工作频率的提高,适应以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件的模块设计与制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 封装 并联 模块 | ||
【主权项】:
一种基于3D封装的片内并联半桥模块,其特征在于它包括:下层直接覆铜基板、中层直接覆铜基板、上层直接覆铜基板、晶体管模块、二极管模块、接线端子。
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