[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置，提高半导体装置的性能。一个实施方式的半导体装置(PKG1)的制造方法包括在布线基板(WB)上固定的框部件的上表面，隔着粘接材料(BND2)搭载盖部件(CVG)的工序；以及对在框部件(FLP)上搭载的粘接材料(BND2)照射紫外线而使粘接材料(BND2)硬化的工序。布线基板(WB)具有基体材料(BSP)以及覆盖基体材料(BSP)的绝缘膜(SR1)，框部件(FLP)以及半导体芯片搭载(固定)到绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)。框部件(FLP)含有玻璃纤维(GC)。另外，框部件(FLP)的上表面(FLt)的粗糙度与绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度相同、或者不比绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度粗。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括以下的工序：(a)准备布线基板的工序，该布线基板具备：基体材料，具有第1上表面及所述第1上表面的相反侧的第1下表面，由绝缘材料构成；第1端子，形成于所述基体材料的所述第1上表面；以及第1绝缘膜，具有与所述第1上表面对置的第2下表面及所述第2下表面的相反侧的第2上表面，以使所述第1端子露出的方式形成于所述第1上表面，其中，具有第3下表面及所述第3下表面的相反侧的第3上表面的框部件以所述第2上表面和所述第3下表面相互对置的状态，隔着第1粘接材料而固定于所述第1绝缘膜的所述第2上表面，所述框部件由包含玻璃纤维的第1树脂构成，所述框部件的所述第3上表面的粗糙度与所述第1绝缘膜的所述第2上表面的粗糙度相同、或者与所述第2上表面的粗糙度相比不粗糙；(b)在所述(a)工序之后，将具备具有受光部的主面及所述主面的相反侧的背面的半导体芯片以使所述背面与所述第2上表面对置的方式，隔着管芯键合材料而固定到所述第2上表面的由所述框部件包围的区域的工序；(c)在所述(b)工序之后，将具有第4下表面及所述第4下表面的相反侧的第4上表面的盖部件以使所述第4下表面与所述第2上表面对置的方式并且以覆盖所述半导体芯片的方式，隔着第2粘接材料而固定到所述框部件的所述第3上表面的工序；以及(d)在所述(c)工序之后，对所述第2粘接材料照射紫外线而使所述第2粘接材料硬化的工序。