[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构有效
申请号: | 201710793917.5 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107326344B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 杨元才;褚景豫;钱鹏亮;熊凯;朱振东 | 申请(专利权)人: | 上海福宜真空设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 上海裕创慧成知识产权代理事务所(普通合伙) 31384 | 代理人: | 黄裕 |
地址: | 201821 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩,屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方;同轴电缆接头设置在屏蔽罩上,在屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰;焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰;第一绝缘法兰上方设置一接线法兰,接线法兰上中心设置一中心圆孔,在其的上方开设一凹槽,设置一进气管;在其两侧各设置一电刷;设置在凹槽内;电刷的一端抵住进气管的外侧;电刷的另一端抵住凹槽的两侧;进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体;在进气管与第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套;解决了射频信号引入失效的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 增强 化学 沉积 设备 射频 信号 引入 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海福宜真空设备有限公司,未经上海福宜真空设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710793917.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的