[发明专利]一种半导体存储器的器件结构在审
| 申请号： | 201710796600.7 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107425072A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器的器件结构，包括有源区，具有多个沟槽与一衬底表面，沟槽的开口朝向衬底表面；多个栅极组件，埋设于有源区的沟槽内，其中衬底表面包含分别位于栅极组件外侧的源区及位于栅极组件之间的漏区；节点接触，设在源区上；位线接触，设在漏区上；两组节点接触通过相邻的栅极组件共用位线接触；其中，有源区的漏区具有一由位线接触往内的第一离子植入层，有源区的源区具有一由节点接触往内的第二离子植入层，第一离子植入层的第一深度大于第二离子植入层的第二深度。本发明的半导体存储器的器件结构可以延长字线与相邻的节点接触之间干扰电荷的距离，从而改善相邻存储单元之间的漏电，缓解位线失效等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器的晶体管结构，其特征在于，包括：有源区，具有多个沟槽与一衬底表面，所述沟槽的开口朝向所述衬底表面；多个栅极组件，埋设于所述有源区的所述沟槽内，其中所述衬底表面包含分别位于所述栅极组件外侧的源区及位于所述栅极组件之间的漏区；节点接触，设在所述源区上；位线接触，设在所述漏区上，以与所述半导体存储器的位线相连，且两组所述节点接触通过相邻的所述栅极组件共用所述位线接触；其中，所述有源区的所述漏区具有一由所述位线接触往内的第一离子植入层，所述有源区的所述源区具有一由所述节点接触往内的第二离子植入层，所述第一离子植入层的第一深度大于所述第二离子植入层的第二深度。
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