[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710798621.2 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107978559B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 姜秉薰;金光淑;裴俊和;曹雨辰;赵玹辰;千俊赫;秋秉权 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;董婷 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种显示装置及其制造方法，所述方法包括：在基底上形成有源层；形成覆盖有源层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成栅极金属线；形成覆盖栅极金属线并且包括氧化硅的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成包括氮化硅的第四绝缘层；在第四绝缘层上形成包括氧化硅的第五绝缘层；在有源层和栅极金属线叠置的区域上方布置阻挡构件；通过在第五绝缘层中掺杂氮离子形成第五辅助绝缘层；通过去除第五绝缘层的第五主绝缘层的不与第五辅助绝缘层叠置的部分使第四绝缘层的上表面的一部分暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成有源层；形成覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极金属线；形成覆盖所述栅极金属线并且包括氧化硅的第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成包括氮化硅的第四绝缘层；在所述第四绝缘层上形成包括氧化硅的第五绝缘层；在所述有源层和所述栅极金属线叠置的区域上方布置阻挡构件；通过在所述第五绝缘层中掺杂氮离子并且使用所述阻挡构件作为掩模，在所述第五绝缘层的一部分中形成第五辅助绝缘层；去除所述阻挡构件；通过去除所述第五绝缘层的第五主绝缘层的不与所述第五辅助绝缘层叠置的部分使所述第四绝缘层的上表面的一部分暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
