[发明专利]氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置有效
| 申请号： | 201710803849.6 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107819030B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 神例信贵;百濑寿代 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L27/11526;H01L27/11573;H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。提供一种提高了耐热性的氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。根据实施方式，提供一种含有铟(In)、镓(Ga)和硅(Si)的氧化物半导体。所述氧化物半导体中的Si与In的组成比(Si/In)大于0.2。所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比(Si/Ga)大于0.2。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 存储 固体 摄像 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体，其含有铟(In)、镓(Ga)和硅(Si)，其中，所述氧化物半导体中的Si与In的组成比(Si/In)大于0.2，所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比(Si/Ga)大于0.2。
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