[发明专利]一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法在审

专利信息
申请号: 201710820368.6 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107333658A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 高海龙;詹茂华;程寒飞;朱林;黄建 申请(专利权)人: 中冶华天工程技术有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 马鞍山市金桥专利代理有限公司34111 代理人: 唐宗才
地址: 243005 安徽省马鞍山市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法,主要针对目前市场上密刺苦草种苗需求量大,但种源严重不足的问题,提出了一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法,主要包括以下步骤1)外植体的消毒;2)出芽诱导;3)增殖培养;4)生根培养;5)炼苗以及移栽。本发明操作简单,可以在短时间内繁殖大量密刺苦草工程苗,解决密刺苦草种源不足的问题,并且可以做到全年、可持续繁殖密刺苦草工程苗。
搜索关键词: 一种 激素 诱导 密刺苦草 工程 方法
【主权项】:
一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法,其特征是,包括如下步骤:1)外植体的消毒采集生长良好、健壮的密刺苦草植株,用清水清洗3~4遍,清除密刺苦草表面附着物,将密刺苦草叶子去除;然后对密刺苦草根茎段消毒,最后截取0.5~1.0cm带节间的根茎段;2)出芽诱导将消毒后的密刺苦草根茎段移入添加了0.5~2mg/L 6‑BA和0.1mg/L NAA和2.0%蔗糖和8mg/L琼脂的MS培养基,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,培养10~15天,诱导生芽;3)增殖培养将经步骤2)得到的培养物接入分化与增殖培养基中培养20~25天,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,以获得更多的密刺苦草的芽;分化与增殖培养基为每升MS培养基中含有1.0mg 6‑BA和0.1mg NAA和2.0%蔗糖和8mg琼脂;4)生根培养将步骤3)获得的密刺苦草芽转接于生根培养液中诱导生根,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,培养10~15天即可得到密刺苦草苗,生根培养液为添加了0.5~1mg/L IBA和0.1mg/L 6‑BA和2.0%蔗糖和5mg/L琼脂的霍格兰营养液;5)炼苗将步骤4)获得的密刺苦草苗移栽到底部铺有经过灭菌的沙石的玻璃培养钵;保持水深20~30cm,每7~10天换水并添加一定量霍格兰营养液以促进其生长;当室外白昼气温18℃以上时,将玻璃培养钵置于室外,直接利用自然太阳光照;否则,将玻璃缸置于温室中,昼夜温度分别保持18℃和25℃以上,并在白天适当补充人工光照。6)移栽上述培养保持到密刺苦草植株长至25cm以上即可移栽到待修复水体。
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