[发明专利]一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法有效

专利信息
申请号: 201710822279.5 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107678769B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 杨艳 申请(专利权)人: 湖南斯北图科技有限公司
主分类号: G06F8/654 分类号: G06F8/654
代理公司: 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙) 11457 代理人: 罗建书
地址: 410006 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法,其中,上位机选择需被加固目标FPGA器件的型号和数量,并获取其配置位流文件;配置用来存储配置位流文件的外部存储器的类型和型号;设置校验模式,并依据该校验模式按照设定数据格式将FPGA配置位流文件组装到存储文件中;根据外部存储器类型和型号,确定外部存储器每个存储块的存储容量,并根据每个存储块的存储容量将存储文件拆分,并将形成的拆分文件存入存储块中;将每个拆分文件生成外部存储器烧录文件。本发明实现了针对多个目标FPGA器件生成抗辐射加固文件的方法,从而能够保证目标FPGA的有效配置、检错、纠错及刷新,进而能有效提升SRAM型FPGA的可靠性。
搜索关键词: 一种 sram fpga 辐射 加固 文件 生成 方法
【主权项】:
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