[发明专利]顶发射白光OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201710823036.3 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107634084B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 李梦真;刘玉成;罗志忠;高松 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 杨波
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种顶发射白光OLED显示装置,包括反射型基板以及R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED、W像素区OLED,R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED及W像素区OLED均包括靠近反射型基板设置的第一电极、远离反射型基板设置的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的有机层以及位于反射型基板与第二电极之间的光程控制层,R像素区OLED、G像素区OLED及B像素区OLED的第二电极为半反半透电极,W像素区OLED的第二电极为透明电极。本发明的顶发射白光OLED显示装置在R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED中同时设置半反半透电极和光程控制层以形成可提高单色光的外量子效率的微腔结构,在W像素区OLED采用透明顶电极而不有微腔结构,从整体上有效提高白光OLED的外量子效率。
搜索关键词: 发射 白光 oled 显示装置
【主权项】:
一种顶发射白光OLED显示装置,其特征在于,包括反射型基板以及设置在所述反射型基板上的R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED、W像素区OLED,所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED均包括靠近所述反射型基板设置的第一电极、远离所述反射型基板设置的第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层以及位于所述反射型基板与所述第二电极之间的光程控制层,所述R像素区OLED、所述G像素区OLED及所述B像素区OLED的第二电极为半反半透电极,所述W像素区OLED的第二电极为透明电极。
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