[发明专利]一种嵌入式非易失存储器及其电流比较读出电路在审
| 申请号： | 201710824111.8 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107516544A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 詹泽红;顾明;金建明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式非易失存储器及其电流比较读出电路，该存储器包括存储器阵列、行译码、CMUX电路、电流比较读出电路，所述存储器阵列中每行字线WL/WLS与每列的位线相交处对应一存储单元bitcell，存储器阵列中每行字线WL/WLS与互补位线相交处对应一互补存储单元bitcell_b，所述存储器阵列中每列位线和互补位线连接至所述CMUX电路的输入，所述CMUX电路输出CL与互补列译码输出CLref至所述电流比较读出电路，通过本发明，可提高闪存读出电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 非易失 存储器 及其 电流 比较 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种嵌入式非易失存储器，包括:存储器阵列、行译码、CMUX电路、电流比较读出电路，所述存储器阵列中每行字线WL/WLS与每列的位线相交处对应一存储单元bitcell，存储器阵列中每行字线WL/WLS与互补位线相交处对应一互补存储单元bitcell_b，所述存储器阵列中每列位线和互补位线连接至所述列译码的输入，所述CMUX电路输出CL与互补列译码输出CLref至所述电流比较读出电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710824111.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种党参的种植设备
- 下一篇：煤矿塌陷地绿化用扦插防倒装置
