[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710824613.0 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN107888179B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 田边昭 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K19/017 分类号: H03K19/017;H03K19/0185
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及半导体装置。现有技术的反向偏置生成电路由于驱动功率降低以降低待机状态下的功耗而导致在操作状态和待机状态之间转变需要较长时间的问题。反向偏置生成电路输出预定电压。预定电压是待机模式下的衬底的反向偏置电压。偏置控制电路当电路块处于操作模式时存储电荷,当电路块从操作模式转变到待机模式时,将所存储的电荷供应给包括在电路块中的MOSFET的衬底,随后将反向偏置生成电路的输出供应给MOSFET的衬底。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:电路块,所述电路块具有两种操作状态,即操作模式和待机模式;电压生成电路,输出预定电压;以及偏置控制电路,在所述电路块处于所述操作模式时存储所供应的电荷,当所述电路块从所述操作模式转变到所述待机模式时,将所存储的电荷供应给包括在所述电路块中的MOSFET的衬底,随后将所述电压生成电路的输出供应给所述衬底,其中所述预定电压是在所述待机模式下所述衬底的反向偏置电压。
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