[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201710827374.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108807536A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式结构 鳍式场效晶体管 虚设栅极结构 半导体装置 制造 蚀刻制程 沉积层 包覆 基板 减小 介电 移除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板上形成一鳍式结构；形成一包覆该鳍式结构的虚设栅极结构；量测该鳍式结构的一宽度；在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；移除该虚设栅极结构；以及对于确定该宽度超过一预定阈值宽度值做出反应，而对该鳍式结构的一暴露部分执行一蚀刻制程，以减小该鳍式结构的该暴露部分的一宽度。
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