[发明专利]纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710833497.9 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107622878B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 余金山;李吉;周新贵;王洪磊;刘海山 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/46 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法，该制备方法包括：（1）取Au |
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| 搜索关键词： | 纳米 多孔 二氧化锰 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法，包括以下步骤：（1）制备纳米多孔金薄膜：取Au35Ag65合金薄膜进行脱合金化处理，得到具有纳米多孔结构的纳米多孔金薄膜；（2）制备纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料将步骤（1）得到的纳米多孔金薄膜采用原子层沉积方法进行处理，以Mn(thd)3和臭氧为前驱体，反应温度控制在150℃～250℃，抽真空至0.6Torr～2Torr，Mn(thd)3脉冲0.5s～5s，N2清洗5s～15s，O3脉冲0.01s～0.05s，N2清洗15s～30s，如此沉积500～5000个循环，在纳米多孔金薄膜的内外表面均匀沉积二氧化锰，沉积完成后，得到纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料。
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