[发明专利]用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM有效
| 申请号： | 201710839316.3 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509494B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 于跃 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM。所述电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管及延时电路，其中，所述第一P型场效应管的源极与所述第二P型场效应管的源极共同连接至正供电电压；所述第一P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极连接，所述第一P型场效应管的栅极连接至控制信号；所述第二P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第二上拉晶体管的源极连接，所述第二P型场效应管的栅极经所述延时电路连接至所述控制信号。本发明能够减少唤醒SRAM存储阵列时所需的充电电流，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 唤醒 sram 存储 阵列 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路，其特征在于，所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极与第二上拉晶体管的源极作为两个节点，所述用于唤醒SRAM存储阵列的电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管及延时电路，其中，所述第一P型场效应管的源极与所述第二P型场效应管的源极共同连接至正供电电压；所述第一P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极连接，所述第一P型场效应管的栅极连接至控制信号；所述第二P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第二上拉晶体管的源极连接，所述第二P型场效应管的栅极经所述延时电路连接至所述控制信号。
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