[发明专利]一种低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法在审
| 申请号： | 201710841231.9 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107507637A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 肖浩;李志雄;邓恩华;吴方;卢浩;龙红卫 | 申请（专利权）人： | 深圳市江波龙电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/14;G11C11/4074;G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14;G11C11/408;G11C11/409 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于电子领域，提供了一种低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法，该存储器为可插拔双列直插式结构，兼容DDR内存接口，存储器基于低功耗内存芯片的DDR4 SO‑DIMM接口以信号完整性和电源完整性为原则做如下引脚分配存储器的电源引脚和接地引脚通过对DDR4 SO‑DIMM接口的数据线、控制线和地址线的两端从新分配得到，使布线时数据线、控制线、地址线通过电源引脚和接地引脚隔离；存储器的电源引脚和接地引脚按一定的比例进行分配。本发明利用了现有的笔记本内存接口规格DDR4 SO‑DIMM，将LPDDR2/3/4定义在此接口规范上，实现低功耗、大容量以及即插即用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 双列直插式 存储器 及其 增强 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗双列直插式存储器，其特征在于，所述存储器为可插拔双列直插式结构，兼容DDR内存接口，所述存储器基于低功耗内存芯片的DDR4SO‑DIMM接口以信号完整性和电源完整性为原则做如下引脚分配：所述存储器的电源引脚和接地引脚通过对所述DDR4SO‑DIMM接口的数据线、控制线和地址线的两端从新分配得到，使布线时数据线、控制线、地址线通过电源引脚和接地引脚隔离；所述存储器的电源引脚和接地引脚按一定的比例进行分配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市江波龙电子有限公司，未经深圳市江波龙电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710841231.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
