[发明专利]一种硅薄膜单面去除方法有效
| 申请号： | 201710841474.2 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107644924B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨洁;张昕宇;金浩;宴迪 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅薄膜单面去除方法，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。上述硅薄膜单面去除方法，能够无损伤且零污染的单面去除硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 单面 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅薄膜单面去除方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
