[发明专利]结晶ITO薄膜的制备方法、On‑cell型触控面板的制备方法在审
| 申请号： | 201710842690.9 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107463031A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吕绍卿 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结晶ITO薄膜的制备方法，用于在液晶面板上制备形成结晶ITO薄膜，所述制备方法包括应用沉积工艺，在彩膜基板的背离液晶层的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使所述非结晶ITO薄膜晶化，获得结晶ITO薄膜。本发明还公开了一种On‑cell型触控面板的制备方法，包括制备形成触控感应电极层的步骤，具体包括应用沉积工艺，在彩膜基板的背离液晶层的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；应用光刻工艺，将所述非结晶ITO薄膜刻蚀形成图案化的触控感应电极；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使图案化的触控感应电极对应的非结晶ITO薄膜晶化形成结晶ITO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 ito 薄膜 制备 方法 on cell 型触控 面板 | ||
【主权项】：
一种结晶ITO薄膜的制备方法，用于在液晶面板上制备形成结晶ITO薄膜，所述液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层，其特征在于，所述制备方法包括：应用沉积工艺，在所述彩膜基板的背离所述液晶层一侧的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使所述非结晶ITO薄膜晶化，获得结晶ITO薄膜。
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