[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法有效

专利信息
申请号: 201710847318.7 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107706102B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 孔蔚然;杨继业;邢军军;潘嘉;黄璇;张须坤;陈冲 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种晶圆背面减薄工艺方法,包括步骤:步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺;步骤二、在晶圆正面依次形成钝化层和聚酰亚胺;步骤三、进行光刻刻蚀形成钝化层和聚酰亚胺的叠加图形结构并由叠加图形结构组成晶圆的正面支撑结构;步骤四、对晶圆背面进行减薄,通过增加所述面支撑结构的面积减少产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的晶圆的厚度的影响。本发明能减少正面图形的落差对减薄后的厚度的影响,从而能提高减薄后的晶圆厚度的均匀性,能防止碎片发生。
搜索关键词: 背面 工艺 方法
【主权项】:
一种晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于,包括步骤:步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺;所述产品的正面工艺图形具有面内高度差异;步骤二、在所述晶圆的产品的正面依次形成钝化层和聚酰亚胺;步骤三、采用光刻工艺定义出所述聚酰亚胺的图形,之后进行所述钝化层的刻蚀将所述聚酰亚胺的覆盖区域外的所述钝化层去除形成所述钝化层和所述聚酰亚胺的叠加图形结构并由所述叠加图形结构组成所述晶圆的正面支撑结构;步骤四、对所述晶圆背面进行减薄,通过增加所述正面支撑结构的面积减少所述产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的所述晶圆的厚度的影响,提高所述晶圆减薄后的厚度均匀性。
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