[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法有效
申请号: | 201710847318.7 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107706102B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 孔蔚然;杨继业;邢军军;潘嘉;黄璇;张须坤;陈冲 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺方法,包括步骤:步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺;步骤二、在晶圆正面依次形成钝化层和聚酰亚胺;步骤三、进行光刻刻蚀形成钝化层和聚酰亚胺的叠加图形结构并由叠加图形结构组成晶圆的正面支撑结构;步骤四、对晶圆背面进行减薄,通过增加所述面支撑结构的面积减少产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的晶圆的厚度的影响。本发明能减少正面图形的落差对减薄后的厚度的影响,从而能提高减薄后的晶圆厚度的均匀性,能防止碎片发生。 | ||
搜索关键词: | 背面 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于,包括步骤:步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺;所述产品的正面工艺图形具有面内高度差异;步骤二、在所述晶圆的产品的正面依次形成钝化层和聚酰亚胺;步骤三、采用光刻工艺定义出所述聚酰亚胺的图形,之后进行所述钝化层的刻蚀将所述聚酰亚胺的覆盖区域外的所述钝化层去除形成所述钝化层和所述聚酰亚胺的叠加图形结构并由所述叠加图形结构组成所述晶圆的正面支撑结构;步骤四、对所述晶圆背面进行减薄,通过增加所述正面支撑结构的面积减少所述产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的所述晶圆的厚度的影响,提高所述晶圆减薄后的厚度均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造