[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710852897.4 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107644916B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 张建业;李伟;顾鹏飞;李伟;张星;孙宏达 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法,该薄膜晶体管包括基板和设置在基板的第一面上的缓冲层,还包括抗紫外层,该抗紫外层设置在基板与缓冲层之间,和/或设置在缓冲层之上,和/或在所述基板的第二面之上。本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法的技术方案中,可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题,从而可以改善薄膜晶体管的性能。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层,其特征在于,还包括抗紫外层,所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间,和/或设置在所述缓冲层之上,和/或在所述基板的第二面之上。
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