[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法在审
| 申请号： | 201710858219.9 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545958A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;张云森;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，采用在铜金属的通孔上制作一层底电极接触层将铜通孔盖住。包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属铜通孔的CMOS基底，并在基底上制作底电极接触；(2)在底电极接触上制作磁性隧道结结构单元；(3)在磁性隧道结结构单元上制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。由于底电极接触材料采用的是非铜金属，这样磁性隧道结及其底电极就可以在表面抛光的底电极接触层上进行制作，这样就有效的避免了由于在铜Vx(x>＝1)上面直接制作MTJ所带来的铜污染和铜扩散和直接将MTJ多层膜生长在粗糙的铜表面，非常有利于MRAM回路电学性能的优化提高和器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 底电极 通孔 制作 磁性随机存储器 磁性隧道结结构 表面抛光 单元阵列 周边电路 接触层 铜金属 基底 连线 磁性隧道结 存储单元 电学性能 接触材料 金属连线 逻辑单元 直接制作 顶电极 多层膜 金属铜 铜表面 铜扩散 铜通孔 铜污染 制造 粗糙 生长 优化 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属铜通孔的CMOS基底，并在所述基底上制作底电极接触；步骤2：在所述底电极接触上制作磁性隧道结结构单元；步骤3：在所述磁性隧道结结构单元上制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。
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