[发明专利]AMOLED显示面板的制备方法在审
| 申请号： | 201710858394.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107706106A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 田金鹏;张毅先;任思雨;谢志生;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种AMOLED显示面板的制备方法，包括如下步骤对O2、SF6和氟烷烃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用第一等离子体对栅极进行首次干法刻蚀操作；对Cl2和O2的混合气体进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用第二等离子体对栅极进行二次刻蚀操作；采用预设注入电压将掺杂元素注入至源漏极中。上述AMOLED显示面板的制备方法通过对O2、SF6和氟烷烃的混合气体进行首次电离产生的第一等离子体栅极进行首次干法刻蚀操作，能够更好地减少栅极中混入的硫元素。以更好地提高产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | amoled 显示 面板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对O2、SF6和氟烷烃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对所述栅极进行首次干法刻蚀操作；对Cl2和O2的混合气体进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对所述栅极进行二次刻蚀操作；采用预设注入电压将掺杂元素注入至所述源漏极中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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