[发明专利]一种光罩的校正方法有效
申请号: | 201710861813.3 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107741684B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 汪悦;张月雨;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;H01L21/266 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,包括:步骤S1,提供一原始版图;步骤S2,对原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应离子注入层的一初始目标图形,以及对应的有源区图形;步骤S3,对间距大于预设距离的相邻的有源区图形进行切角处理;步骤S4,将进行切角处理后的有源区图形之间的初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;步骤S5,对最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩;通过该校正方法形成的光罩,其离子注入层图形边的移动量得到了提高,从而进一步增加离子注入层光阻尺寸大小,降低离子注入层光阻剥落的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 校正 方法 | ||
【主权项】:
一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层;其特征在于,存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离;所述校正方法包括:步骤S1,提供一原始版图;步骤S2,对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形,以及对应所述有源区的有源区图形;步骤S3,对间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形进行切角处理;步骤S4,将进行所述切角处理后的所述有源区图形之间的所述初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;步骤S5,对所述最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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