[发明专利]一种光罩的校正方法有效

专利信息
申请号: 201710861813.3 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN107741684B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 汪悦;张月雨;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;H01L21/266
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,包括:步骤S1,提供一原始版图;步骤S2,对原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应离子注入层的一初始目标图形,以及对应的有源区图形;步骤S3,对间距大于预设距离的相邻的有源区图形进行切角处理;步骤S4,将进行切角处理后的有源区图形之间的初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;步骤S5,对最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩;通过该校正方法形成的光罩,其离子注入层图形边的移动量得到了提高,从而进一步增加离子注入层光阻尺寸大小,降低离子注入层光阻剥落的风险。
搜索关键词: 一种 校正 方法
【主权项】:
一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层;其特征在于,存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离;所述校正方法包括:步骤S1,提供一原始版图;步骤S2,对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形,以及对应所述有源区的有源区图形;步骤S3,对间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形进行切角处理;步骤S4,将进行所述切角处理后的所述有源区图形之间的所述初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;步骤S5,对所述最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩。
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