[发明专利]基板处理装置和处理液供给方法有效
申请号: | 201710864350.6 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107871693B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 东岛治郎;绪方信博;桥本佑介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种基板处理装置和处理液供给方法。能够更准确地进行利用期望的温度的SPM液的处理。该基板处理装置具备:处理液供给机构(70),其向基板供给SPM液;温度调整部(加热器)(303),其用于对从处理液供给机构(70)向基板供给时的SPM液的温度进行调整;获取部(温度传感器)(80),其用于获取基板的表面上的SPM液的温度信息;以及控制部(18),其根据由获取部(温度传感器)(80)获取到的SPM液的温度信息来设定温度调整部(加热器)(303)中的调整量,其中,温度调整部(加热器)(303)基于由控制部(18)设定的调整量来对向基板供给时的SPM液的温度进行调整。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 供给 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具备:处理液供给机构,其将硫酸和过氧化氢水混合来生成硫酸过氧化氢混合物液,并向基板供给所生成的硫酸过氧化氢混合物液;温度调整部,其对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整;获取部,其获取所述基板的表面上的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度信息;以及控制部,其根据由所述获取部获取到的所述温度信息来设定所述温度调整部中的调整量,其中,所述温度调整部基于由所述控制部设定的调整量来对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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