[发明专利]一种晶体硅太阳能电池热氧工艺

摘要

本发明专利涉及一种晶体硅太阳能电池热氧工艺，该方法是在室温下，通过热氧炉在刻蚀后的硅片绒面生长厚度为2～12nm 的二氧化硅，该二氧化硅采用热氧炉热氧工艺形成的二氧化硅膜厚度、均匀性及致密性比刻蚀臭氧工艺好，二氧化硅膜通过氧原子与悬挂键形成桥键氧,该键比较稳定,对硅片表面有钝化作用，而且热生长二氧化硅膜致密度较高,阻止了硅片表面氢原子的溢出,增强了二氧化硅和氮化硅双层膜的钝化效果，一定程度上提升了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池热氧工艺，其特征在于:经过刻蚀后，在硅片绒面上制备一层二氧化硅致密的氧化膜。