[发明专利]阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201710875366.7 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN107706149B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 陈晓威;李家琪 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种阵列基板的制作方法,包括:提供一基板,所述基板上形成有平坦化层,所述平坦化层包括第一过孔;在所述第一过孔中形成过渡层;形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层,所述第一图案化透明电极层及图案化钝化层均暴露出所述过渡层;刻蚀除去所述过渡层。本发明在平坦化层上的过孔中形成过渡层,可降低过孔落差,使得在形成第一图案化透明电极层的过程中不会有光阻残留在过孔中,进而避免过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板,所述基板上形成有平坦化层,所述平坦化层包括第一过孔;在所述第一过孔中形成过渡层;形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层,所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层;刻蚀除去所述过渡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造