[发明专利]一种晶体管、钳位电路及集成电路有效
| 申请号： | 201710875851.4 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108039362B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;罗家俊;刘海南;陆江;卜建辉;赵海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，晶体管包括：衬底、氧化物层、硅层；源区和漏区之间为沟道区，其中，源区和漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；沟道区上设置有多晶硅栅极；栅极沿第一方向依次分为第一段区域、第二段区域和第三段区域，其中，第一方向为源区至漏区的方向，其中，第一段区域为第二掺杂类型的重掺杂，第二段区域均为非掺杂多晶硅，第三段区域为所述第一掺杂类型的重掺杂，第一掺杂类型与第二掺杂类型不相同。本发明提供的器件和电路，用以解决现有技术中用于静电保护的MOSFET存在静电保护能力和漏电控制不能兼顾的技术问题。在保证ESD保护能力的基础上实现减小漏电的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层和位于所述氧化物层上的硅层；其中，所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；所述沟道区上设置有多晶硅，所述多晶硅为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极；所述栅极沿第一方向依次分为第一段区域、第二段区域和第三段区域，其中，所述第一方向为所述源区至所述漏区的方向，其中，所述第一段区域为第二掺杂类型的重掺杂，所述第二段区域均为非掺杂多晶硅，所述第三段区域为所述第一掺杂类型的重掺杂，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同。
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