[发明专利]一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法

摘要

本发明公开了一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，属于半导体技术领域。本发明解决了AlGaN基探测器阵列制备过程中，刻蚀工艺需要有毒气体、刻蚀工艺复杂、刻蚀后器件存在漏电通道的问题，所述方法包括以下步骤：(1)生长N型AlGaN基材料；(2)制备掩膜材料；(3)制备生长窗口；(4)生长I型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料；(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极。本发明方法避免了AlGaN基探测器阵列制备过程中有毒气体的使用，解决了刻蚀台面存在漏电通道的问题，并且工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上生长N型AlGaN基材料；(2)在N型AlGaN基材料表面制备掩膜材料；(3)利用光刻胶刻蚀掩膜材料，制备AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列生长窗口；(4)通过选择外延，在AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的生长窗口上依次生长I型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料；(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极，得到PIN结构的AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列；在衬底上生长N型AlGaN基材料的生长方法采用“两步生长法”生长N型AlGaN基材料，即先生长AlGaN低温缓冲层，再升温生长非故意掺杂AlGaN并利用N型掺杂剂进行掺杂而生长N型AlGaN基材料。