[发明专利]一种锗硅源漏极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710882787.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107634092B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种锗硅源漏极及其制备方法。锗硅源漏极包括：硅基衬底，硅基衬底内形成第一器件区域和第二器件区域；栅极，设置在硅基衬底上；位于第一器件区域内的第一嵌入式结构及位于第二器件区域内的第二嵌入式结构，均嵌入锗硅材料。其中，第一嵌入式结构之深度小于第二嵌入式结构之深度，且第一嵌入式结构及第二嵌入式结构内的锗硅材料之外延生长的高度一致。通过本发明所获得的锗硅源漏极之第一器件区域和第二器件区域之锗硅材料外延生长的高度一致，不仅可以避免第一器件区域因生长不足造成的凹陷问题，及第一器件区域与第二器件区域之嵌入式锗硅高度差过大等缺陷，而且能够有效改善器件性能，同时避免出现负载效应等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗硅源漏极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅源漏极，其特征在于，所述锗硅源漏极，包括：硅基衬底，所述硅基衬底内形成第一器件区域和第二器件区域；栅极，间隔设置在所述硅基衬底上；位于第一器件区域内的第一嵌入式结构及位于第二器件区域内的第二嵌入式结构，所述第一嵌入式结构及所述第二嵌入式结构内均嵌入锗硅材料；其中，位于所述第一器件区域内的第一嵌入式结构之深度小于位于所述第二器件区域的第二嵌入式结构之深度，且所述第一嵌入式结构及所述第二嵌入式结构内的锗硅材料之外延生长的高度一致。
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