[发明专利]半导体装置

摘要

抑制键合导线的波动，抑制由多个晶体管单元的不均等动作产生的特性的劣化和振荡。在电路基板(P1)处，包含并联电容(C21至C24)的多个电路图案(11至14)的输出与多个第1输出焊盘(PD21至PD24)通过多个第1微带线路(L11至L14)分别连接。电路基板(P1)的多个第1输出焊盘(PD21至PD24)经由多个第2导线(W21至W24)分别与半导体基板(2)的多个晶体管单元(Tr1至Tr4)的输入连接。多个晶体管单元(Tr1至Tr4)的叉指数量彼此相同。与排成一列的多个电路图案(11至14)中配置于两端的电路图案(11、14)连接的第1微带线路(L11、L14)比其他的第1微带线路(L12、L13)长。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：输入端子；电路基板，其具有多个电路图案、多个第1输入焊盘、多个第1输出焊盘、多个第1微带线路，所述多个电路图案包含并联电容，所述多个第1输入焊盘分别与所述多个电路图案的输入连接，所述多个第1微带线路分别将所述多个电路图案的输出与所述多个第1输出焊盘连接；半导体基板，其具有多个晶体管单元、多个第2输入焊盘、多个第2输出焊盘，所述多个第2输入焊盘与所述多个晶体管单元的输入连接，所述多个第2输出焊盘与所述多个晶体管单元的输出连接；输出端子；多个第1导线，它们分别将所述输入端子与所述多个第1输入焊盘连接；多个第2导线，它们分别将所述多个第1输出焊盘与所述多个第2输入焊盘连接；以及多个第3导线，它们分别将所述多个第2输出焊盘与所述输出端子连接，各晶体管单元构成为，多个叉指被并联连接，各晶体管单元具有经由通路孔与背面电极连接的源极电极，所述多个晶体管单元的叉指数量彼此相同，与排成一列的所述多个电路图案中配置于两端的电路图案连接的第1微带线路比其他的第1微带线路长。