[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质有效
申请号: | 201710894040.9 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107895686B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 五师源太郎;清濑浩巳;清原康雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制处理流体的消耗量且在短时间内进行使用超临界状态的处理流体来将液体从基板除去的干燥处理的基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。基板处理方法包括以下工序:第一处理工序,将处理容器内的流体排出,直到成为不引起处理容器内存在的超临界状态的处理流体的气化的第一排出到达压力为止,之后,向处理容器内供给处理流体,直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第一供给到达压力为止;第二处理工序,将处理容器内的流体排出,直到成为不引起超临界状态的处理流体的气化的第二排出到达压力为止,之后,向处理容器内供给处理流体,直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第二供给到达压力为止。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 以及 记录 介质 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理,所述基板处理方法包括以下工序:第一处理工序,将所述处理容器内的流体排出,直到所述处理容器内成为不引起所述处理容器内存在的超临界状态的所述处理流体的气化的第一排出到达压力为止,之后,向所述处理容器内供给所述处理流体,直到所述处理容器内成为比所述第一排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第一供给到达压力为止;以及第二处理工序,在所述第一处理工序之后,将所述处理容器内的流体排出,直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化的与所述第一排出到达压力不同的第二排出到达压力为止,之后,向所述处理容器内供给所述处理流体,直到所述处理容器内成为比所述第二排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第二供给到达压力为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造